AMORPHOUS SILICONE

O camada de semicondutor mais comum é feita de silício amorfo (a-SI). um-SI transístor de película fina-visor de cristal líquido (TFT-LCD) tem sido a tecnologia dominante para a fabricação de matriz activa TFT-LCD há mais de 20 anos. Um-SI é um material de baixo custo em abundante suprimento.

a-si é um material de baixo custo em abundante suprimento. No entanto, a mobilidade dos elétrons de um-SI é muito baixo (cerca de 1cm2/VS) enão pode suportar fisicamente altas taxas de atualização, como a 240Hznecessários para HDTV. Devido à sua elevada mobilidade electrónica,novos materiais, tais como óxido de metal (MO) e baixo polissilício temperatura (LTPS) estão agora a substituição de um-SI para fabricar dois tipos principais da indústria de telas: LCD e luz orgânico-emitting diodo (OLED) exibe .

O camada mais comum semicondutor é feita de silício amorfo (a-SI). um-SI transístor de película fina-visor de cristal líquido (TFT-LCD) tem sido a tecnologia dominante para a fabricação de matriz activa TFT-LCD há mais de 20 anos.

Onosso adota avançados de produção e tecnologia de alimentação para produzir silício amorfo interior e silício amorfo ao ar livre por um longo tempo. Os produtos são utilizados em muitos campos, tais como relógios, óculos, brinquedos, casa inteligente e iluminação exterior.